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Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65mΩ


作者:    時間:2022/2/10 16:00:17  來源:   
小型器件采用無引線鍵合鷗翼引線結構,提高板級可靠性
 
賓夕法尼亞、MALVERN — 20222月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標,60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻,工作溫度可達+175 °C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK® 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力,有助于提高板級可靠性。
 
SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mΩ和1.22 mΩ—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %,從而減小了傳導功耗,實現節能的效果。
 
為提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A,封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %,高度降低57 %。為節省電路板空間,每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。
 
器件規格表:
產品型號
VDS (V)
ID (A)
RDS(ON) @ 10 V (mΩ)
Rthjc (°C/W)
SiJH600E
60
373
0.65
0.36
SiJH800E
80
299
1.22
0.36
 
Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C,性能穩定可靠,適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100 % Rg和UIS測試。
 
封裝對比表:
封裝
長 (mm)
寬 (mm)
高 (mm)
尺寸 (長x寬mm2)
PowerPAK 8x8L
8.0
7.9
1.8
63.2
D2PAK (TO-263)
15.2
10
4.4
152
 
SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產品供貨周期和數量的相關信息,請與Vishay或我們的經銷商聯系。
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